Positron annihilation due to silicon vacancies in 3C and 6H SiC epitaxial layers induced by 1MeV electron irradiation

河裾 厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; 吉川 正人; 児島 一聡; 伊藤 久義

Physica Status Solidi (B), 223(2), p.R8 - R10, 2001/01

https://doi.org/10.1002/1521-3951(200101)223:23.0.CO;2-N

炭化ケイ素(SiC)半導体の空孔型欠陥における陽電子消滅パラメータを実験的に決定するため、1MeV電子線を照射したn型立方晶(3C)及び六方晶(6H)SiC単結晶に対し、陽電子ビームを用いて消滅線エネルギーのドップラー拡がり測定を行った。未照射SiCのS及びWを各々エネルギーウィンドウを511.0-5113.8keV,516.0-522.0keVに設定して求めた結果、バルク領域の値として結晶型によらずS=0.435-0.437,W=0.0032-0.0033が得られた。また、照射後の等時アニールによりSパラメータは約200,700で減少すること、Wパラメータに比例して変化することがわかり、照射SiCでは陽電子は1種類の欠陥、即ちSi空孔で捕獲されると見なせることが確認できた。Si空孔濃度を考慮した解析の結果、Si空孔における特性S,WパラメータとしてS=1.0280.003,W=0.8340.005が決定できた。